单从性价比方面考虑,iNAND 7550支持eMMC5.1标准,连续写入速度260MB/s,随机读取20K、写入15K。这个表现力中规中矩。
为了满足未来发展的5G网络时代需求,据详细数据显示,iNAND 8521支持UFS2.1,第五代智能SLC技术(小容量SLC做缓存),连续写入速度比当下的iNAND 7232(eMMC 5.1)提升了1倍(600MB/s),随机读取更是快了10倍。
大储存是未来的发展趋势,随着更多厂商生产大储存芯片,说不定手机厂商未来采购价也会呈现下跌趋势,消费者也会获得一些利益。